Toshiba, IBM en AMD hebben de kleinste SRAM-cel ontwikkeld, zo zeggen ze zelf. Deze 22nm SRAM-cel op basis van FinFETs – verticale transistors met vinvormige siliciumkanalen – maakt gebruik van high-k/metal gate-procesestechnologie (HKMG) en heeft maar een oppervlakte van 0,128 vierkante micrometer.
Door het optimaliseren van de fabricageprocessen, is volgens de onderzoekers de SRAM-cel meer dan vijftig procent kleiner dan vorige nonplanar-FET cellen. Deze nonplanar-FET cellen hebben een oppervlakte van 0,274 vierkante nanometer. Met gevolg hebben ze een werkende SRAM-cel ontwikkeld met als afmetingen 58 nanometer bij 22 nanometer.
De onderzoekers onderzochten ook de stochastische variatie van de FinFET eigenschappen binnen de kleine SRAM cellen en simuleerde SRAM-cell variaties op nog kleinere cel afmetingen. Deze onderzoekers bevestigden ook dat FinFETs zonder channel doping 28 percent betere transistor karakteristieke variabiliteit hebben. Ook hebben de onderzoekers simulaties gedaan met SRAM cellen van 0,063 vierkante nanometer. Deze waren gelijk aan of kleiner dan een cel grootte van 22 nm. Uit het resultaat van deze simulaties wordt verwacht dat de FinFET SRAM cel een duidelijk voordeel te bieden heeft in stabiele operaties. Dit in vergelijking met een planar-FET SRAM cel van deze generatie.
Door succesvol deze zeer kleine FinFET SRAM-cellen met HKMG te produceren, hebben de bedrijven FinFETs als een aantrekkelijke SRAM structuur geplaatst voor 22 nm en kleinere nodes. Deze nieuwe technologie is een stap voorwaarts naar krachtige praktische apparaten.